型号:SPB04N60C3 | 类别:FET - 单 | 制造商:Infineon Technologies |
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 描述:MOSFET N-CH 650V 4.5A D2PAK |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 650V 4.5A D2PAK |
系列 | CoolMOS™ |
制造商 | Infineon Technologies |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 650V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 4.5A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 950 毫欧 @ 2.8A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 3.9V @ 200µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 25nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 490pF @ 25V |
功率_最大 | 50W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商设备封装 | PG-TO263-3 |
包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
辉华拓展 | 杨泽鹏0755-83202411 |
深圳市科恒伟业电子有限公司 | 柯0755-88917652分机801-83200050 |
深圳市科恒伟业电子有限公司 | 李小姐086-0755-82569753-32922817-36561078-801 |
深圳市大唐盛世半导体有限公司 | 张先生13008842056 |
深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
现代芯城(深圳)科技有限公司 | 董0755-82542579 |
深圳市芯柏然科技有限公司 | 欧阳0755-82533534 |
深圳市华雄半导体(集团)有限公司 | 王0512-67241533 |
深圳市恒佳微电子有限公司 | 朱经理、张小姐0755-82533156 82710336 |
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2917(7343 公制)
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2917(7343 公制)
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1411(3528 公制)
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2917(7343 公制)
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径向,Can - QC 端子
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板至板 - 接头,插座,母插口
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TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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- T491B106K006AT
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Kemet
1411(3528 公制)
CAP TANT 10UF 6.3V 10% 1411
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Infineon Technologies
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
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逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
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DIODE SCHOTTKY 8A 30V SMPC
- T495D156M035ATE300
钽
Kemet
2917(7343 公制)
CAP TANT 15UF 35V 20% 2917
- SS-107-G-2-N
板至板 - 接头,插座,母插口
Samtec Inc
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
CONN RCPT .100" 7POS GOLD T/H
- SFD66T50K475B-F
薄膜
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
径向,Can
CAP FILM 50UF 660VAC QC TERM
- T491B106K020AH
钽
Kemet
1411(3528 公制)
CAP TANT 10UF 20V 10% 1411
- SN74LVT244BPWR
逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
Texas Instruments
20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
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