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电子元器件详细资料 » IC[28533] » SPB04N60C3
型号:SPB04N60C3类别:FET - 单制造商:Infineon Technologies
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB描述:MOSFET N-CH 650V 4.5A D2PAK

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 650V 4.5A D2PAK
系列CoolMOS™
制造商Infineon Technologies
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)650V
电流_连续漏极(Id)0a025000C4.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C950 毫欧 @ 2.8A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223.9V @ 200µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs25nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds490pF @ 25V
功率_最大50W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装PG-TO263-3
包装剪切带 (CT)

供应商

辉华拓展杨泽鹏0755-83202411
深圳市科恒伟业电子有限公司柯0755-88917652分机801-83200050
深圳市科恒伟业电子有限公司李小姐086-0755-82569753-32922817-36561078-801
深圳市大唐盛世半导体有限公司张先生13008842056
深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市芯柏然科技有限公司欧阳0755-82533534
深圳市华雄半导体(集团)有限公司王0512-67241533
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